Ученые из Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ», Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского государственного университета достигли значимого результата в области материаловедения. Они впервые синтезировали монокристаллы оксида галлия, обогащенные железом, которые демонстрируют магнитные свойства при комнатной температуре. Этот опыт открывает новые перспективы для разработки сверхэффективной памяти, предназначенной для электронных устройств будущего.
Профессор кафедры микро- и наноэлектроники СПбГЭТУ «ЛЭТИ» и старший научный сотрудник лаборатории физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Камиль Гареев сообщил, что их команда успешно вырастила монокристаллы оксида галлия с высокой концентрацией железа. В ходе исследований ученые обнаружили признаки магнитного упорядочения в этих кристаллах при комнатной температуре.
Для дальнейшего развития спинтроники крайне важны полупроводниковые материалы, которые могут одновременно управлять электрическими и магнитными характеристиками. Такие материалы станут основой для создания новых типов памяти, отличающихся высокой энергонезависимостью и энергоэффективностью. Исследователи из ЛЭТИ, ФТИ им. Иоффе РАН и СПбГУ провели первое исследование магнитных свойств кристаллов оксида галлия, легированных железом. Эти кристаллы рассматриваются как перспективная альтернатива кремнию в силовой электронике.
Заведующий лабораторией физики профилированных кристаллов ФТИ им. Иоффе РАН Владимир Николаев отметил, что их работа представляет собой важный шаг на пути к тому, чтобы оксид галлия стал ферромагнитным материалом. В будущем это позволит использовать его в электронных устройствах, функционирующих на принципах спинтроники. Это, в свою очередь, обеспечит быструю передачу энергии в линиях высокого напряжения и надежное магнитное хранение данных в одном кристалле.
Источник: ТАСС
распечатать статью